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SENTECH SI500D ICPECVD等离子沉积设备 最近更新日期：2007-04-27 厂商名称： SENTECH 商品名称： ICPECVD等离子沉积设备 商品型号： SI500D 简单信息： ICPECVD等离子沉积设备，高密度等离子，低温沉积电介质膜(80°C-130°C)，有出色的机械、电学、化学性质。  我要留言  同类商品比较  打印页 SI 500 D PTSA ICP等离子沉积系统 　　SI 500 D高密度等离子沉积系统针对ICPECVD沉积电介质薄膜。可在极低温度下(< 100ºC)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。 SI 500 D主要特点: • 平板三螺旋天线式PTSA等离子源(P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna • 高速率沉积 • 低损伤 • 高质量低温沉积电介质膜 • (T >= 80°C) • 远程控制 • SENTECH高级等离子设备操作软件 • 穿墙式安装方式 系统配置: • PTSA ICP等离子源(13.56 MHz, 1200 W) • 两路循环进气 • 6 MFC控制气路(SiH4, NH3, N2O, O2, Ar, CF4) • 预真空锁loadlock， 带有取放机械手 • 高速率真空泵系统，独立气流压强控制 • 绝缘电极，支持6" 基底或6" 托架(支持小晶圆,小片样品) • 基底温度可到350ºC • 远程控制(RFC) • Windos XP操作系统 • SENTECH高级等离子设备操作软件 特性: • 全自动/手动过程控制 • Recipe控制沉积过程 • 智能过程控制，包括跳转、循环]调用recipe。 • 多用户权限设置 • 数据资料记录 • LAN网络接口 • Windows NT 操作软件 Options: • 增加气路 • Cassette到cassette操作方式 • 穿墙式安装 • 激光干涉终点探测系统

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