东方集成-测试测量专家,仪器仪表专业网站
    立即参与网站调查,参与者人人有
首 页 采购仪器设备 租赁仪器设备 测试应用系统集成 计量校准和管理外包 公共保税仓库 客户服务专区
      集成报道  行业动态  技术文章  技术专题  展会信息
当前位置:客户服务专区 > 电子测量测试  
PC100内存组件测试

2000-12-08
  在现今充满竞争的全球市场中,处理器和个人电脑(PC机)经销商正鼓动存储器供应商,希望能以100MHz SDRAM的形式提供带宽增加的SDRAM--也称为PC100。一方面,在100MHz时钟频率全速运行情况下,产品能满足增加存储器带宽的需要,另一方面,这些组件的测试需求有可能明显抬高存储器的费用。庆幸的是,工业上基础部件的测试水平正快速地发展,新的测试装置比以往更容易得到。

  内存组件的价格确实影响到每一个人,包括PC机和其它电子部件厂家、半导体生产商、第三方的内存组件供应商、内存升级供应商、服务和修理业务及最终用户组织。据估计,1999年度将要装载1亿7仟6佰万件PC100组件,在这种情况下,如果生产商用高档特性测试装置来测试组件产品,那么每个组件测试费用将会超过一美元。

  大部分现有的测试装置和处理机分为两种类型:价格昂贵的特性测试装置和相对低廉的产品测试装置,其中很多都不能在100MHz下进行测试。为了避免在特性测试装置上大规模投资,一些生产商可能会选择在较低速度下测试PC100组件。但如果不在全速运行时测试,则可能导致生产出不规格组件。

  技术问题
  克服在高速运行时存在的电感和电容的影响,并且取得必要的测量精度,是在100MHz下测试SDRAM面临的最大考验。测量精度包括定时、电流、电压和存储器性能。
  测试装置结构体系必须提供一个可控阻扰。设计中最关键的部分是引脚驱动电路。图(1)是内存组件测试装置典型引脚驱动电路的简化示意图,该测试装置与被测设备信号相连接。



  引脚驱动电路可看成是联结Vdd(3V是典型值)和地之间的一对开关,Vdd和地分别与连接在开关和驱动器之间的串联电阻(Rl和RO)相连。引脚驱动电路通过一个50欧(Zo)的可控阻抗路径与被测器件相连,在驱动器与Zo间接一串联电阻器Rs。当被测器件也能驱动信号(比如存储器的双向传输数据引脚)的情况下,则在被测器件上安放另一个串联电阻器。
  另一个挑战是对所有引脚驱动电路进行匹配定时,以便消除从一个引脚驱动电路到另一个引脚驱动电路的固有偏移(skew)。由于装入了测试用的固定设备、处理器和被测器件,100MHz信号看起来有重要的影响,比如说信号电平的降低及升降次数的改变。
  此外,必须正确地控制阻抗和断开信号线以及避免信号的反馈。从而,测试装置的结构体系必须足够灵活,以适应内存组件设计中参数的大范围变动。
  为了充分地消除缺陷,测试装置必须具备灵活性,使之能为各个被测器件提供各种不同的测试功能。在普通测试流程中,每个测试都寻找特殊类型的故障或缺陷:

  ·功率测试能够检测出在以后的测试中可能会破坏测试装置的组件缺陷。
  ·紧密测试找出在组件加工过程中由于不适当的焊接引起的工艺缺陷。
  ·控线测试确保在活跃和不活跃状态下的控制线的正确操作。
  ·地址测试测定任何一根地址线是否是断开的或者是不工作的。
  ·数据测试部分使用内存并检测数据线的工艺缺陷和短路情况。
  ·算法模式检测执行一些特殊的读写操作以确保各内存块正常工作。
  ·管脚泄漏测试探测额外漏电流,它是在组件加工期间由于不正确的焊接或者设备损坏产生的。
  ·V OL/VOH测试检测在内存组件中的集成芯片(ICs)的输出驱动。
  ·I cc测试估算在执行特殊操作期间设备的电流消耗。
  ·当内存组件有S PD,执行SPD测试和程序。这是在存在其它的缺陷时避免对SPD编程的最后测试。

  选择测试内存单元阵列的算法是很重要的。这些选项包括O/1检测板算法,1/O游动过程,毗邻X算法,毗邻LR算法以及跃步模式。尽管常补充一些其它的算法以使其更全面或者防止难以检测的缺陷出现,毗邻X算法仍是主要的检测模式。

  测试问题的解决方案
  现在,OEMs对测试100MHz SDRAM组件有一些可选方案。在组件全速运行时对它们进行测试,新的解决方案能使每个组件仅需花费约十美分。对用自动化处理机测试大批量产品,以及对检查进货检验、故障分析,这些方案是很合适的,并能返回处理。
  为使100MHz SDRAM测试费用可以承受,设计了一种典型的测试装置。它通过用户接口和操作员的控制台集成在高速PC机上。该测试装置还含有一个专用CPU(中央处理单元),此CPU用于运行实际测试程序并报告返回到PC机上的测试结果。寿用硬件设备用来处理地址发生和内存读/写操作。
  为保证电压和电流的测试精确度,测试装置常采用多个电源和参数测量单元。在测试装置中所有通信都发生在500的阻抗总线上,该总线用于控制负载信号。
  测试装置通过一个适配卡或者自动处理机与被测器件相连接。适配卡包含一个适用组件设计的连接器,它提供固定阻抗和与基准同步的定时特性。自动处理机以顺序方式将组件加载到连接器上。

  连续内存结构体系变化
  更快速SDRAMs的升级仅是在存储器行业未来变化的一种迹象,到1999年后,现今的行动方案和其它技术一起将会再次出现。因为电子产品在持续快速发展,存储器行业必须持续发展以满足用户和制造商们不断变化的需求。
  最近的公告(来自Compaq和Dell计算机公司——美国最大的两家PC机供应商)表明:1999年发布的产品将与Direct Rambus公司存储器结构体系相结合。与Intel广泛采用的该类型存储器协作,Dirmt Rambus公司可能在次年变成一个大厂家——反过来,它将导致新的测试挑战的出现。
  其它主流存储器玩家(PLAYER)开始认可SLDRAM和双数据率(DDR)DRAM(作为短期使用)。与旧的存储器类型相比,100MHz SDRAM生命历程较短。意识到测试能力应保持动态,明智的购买者应确保新的100MHz SDRAM测试装置能够升级,以便能解决将来的技术问题。
  
  → 一种薄膜电路故障的自动检测系统
  → 美国研发出原子级存储器
  → 所有存储器常遇问题(FAQ)(三)
  → 所有存储器常遇问题(FAQ)(二)
  → 所有存储器常遇问题(FAQ)(一)
  → 存储器测试仪FAQ
  → 存储器容量问题
  → 存储器的兼容问题
  → 存储器的装配问题
  → 存储器的区分
  → DDR存储器和DDR DIMM
 
  关于我们 | 网站地图 | 最新招聘 | 联络方式 | 友情链接 | 京ICP备案06026460号  
北京东方中科集成科技有限公司  版权所有